Vishay

Vishay DG 增强模拟开关 IC 具有 16V 扩展工作电压范围和增强的漏电流限制。 DG 增强 IC 还具有更低的开关导通电阻以及整体降低的功耗。 该 IC 提供增强的坚固性，同时具有更高的闭锁电流和更强的 ESD 能力。 DG 增强系列采用高密度工艺制造，不仅提高了制造能力，还缩短了交付时间。 该 IC 支持诸如工业、仪器以及医疗等市场的模拟开关产品。

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Vishay DG 增强模拟开关 IC 具有 16V 扩展工作电压范围和增强的漏电流限制。 DG 增强 IC 还具有更低的开关导通电阻以及整体降低的功耗。 该 IC 提供增强的坚固性，同时具有更高的闭锁电流和更强的 ESD 能力。 DG 增强系列采用高密度工艺制造，不仅提高了制造能力，还缩短了交付时间。 该 IC 支持诸如工业、仪器以及医疗等市场的模拟开关产品。

<strong>特性</strong>
从目前的 12V 和 ±6V 工作电压分别扩展到 16V 单电源电压和 ±8V 双电源电压
开关导通电阻更低，容差得到改进
开关漏电限制得到改进，降低了 50%
寄生电容更低，降低了约 30%
功耗降低约 98%，从 0.2mA 降低到 3.5uA (V+ = 12V)
闭锁电流 从 200mA 提高到 300mA
ESD/HBM 从 2KV 增强到 2.5KV

Vishay VEML6075 UVA 和 UVB 光传感器是一个使用 CMOS 的单芯片解决方案，整合了光电二极管、放大器、模拟/数字电路和 一个 I2C 接口。 VEML6075 能够检测 UVA 和 UVB 强度，以测量信号强度，并在使用紫外传感器时进行 UVI 测量。 该传感器将太阳紫外线光转换为数字数据，长期暴露在太阳紫外线下仍可保持可靠的性能。

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<font color="#FF8000">这些小尺寸器件适合智能手机和可穿戴设备，高度小于0.4mm，典型电容低至0.35pF</font>

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的双向对称（BiSy）两线ESD保护二极管---<a href="http://www.vishay.com/ppg?85923">VBUS05M2-HT1</a&gt;。器件采用超小尺寸的LLP1006-3L封装，可用于便携式电子产品。Vishay Semiconductors VBUS05M2-HT1比SOT32封装的产品节省空间，具有超低电容和漏电流，可保护高速数据线免受瞬变瞬态电压信号的干扰。<!--break-->

这款10匝器件尺寸为7/8英寸，线性度低至 1 %，分辨率为1，寿命超过1000万次循环

这些通过AEC-Q102认证的器件具有与人眼相当的光谱感光度，并采用紧凑的0805和顶视QFN封装，可实现更优的光谱角性能

富昌电子荣获Vishay颁发的“2025年度金牌合作伙伴奖”及“2025年度最佳无源器件分销商奖”两项荣誉，体现双方长期稳固的战略合作关系，同时彰显富昌电子在无源器件业务领域的出色市场表现和行业影响力。

这些器件采用宽体SMD-8封装，CTI值为600，爬电距离和电气间隙≥ 11 mm，VIORM为1500 Vpeak，VIOWM为1060 VRMS

这些器件采用宽体SMD-8封装，CTI值为600，爬电距离和电气间隙≥ 11 mm，VIORM为1500 Vpeak，VIOWM为1060 VRMS

这些紧凑型器件可提供高达5.0 A的维持电流、低至50 ms的快速响应时间以及低至5 m(的电阻，包括六种紧凑型封装尺寸