英诺赛科

在刚刚结束的“2021（春季）USB PD&Type-C亚洲展”上，英诺赛科副总经理陈钰林先生为大家带来了《Inno GaN 引领“芯”未来》主题演讲，并发布了英诺赛科的2021年度重点产品：33W氮化镓快充。

为满足220V 家电变频设备的极简设计和小型化，英诺赛科在成熟分立GaN的基础上，推出700V集成半桥 GaN产品SolidGaN ISG624x系列，持续完善家电产品布局。

近日，国内功率半导体领域重要的学术会议功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026）在上海成功举办。政、产、学、研、用各界专家与代表共同探讨了第三代半导体技术创新、产业落地的态势，助力推动生态升级与产业全链条协同发展。

德国慕尼黑地方法院（Landgericht München I）于当地时间6月18日就英飞凌科技与英诺赛科之间涉及氮化镓（GaN）技术的两项进一步专利侵权案件作出判决（分别基于一项专利及一项实用新型），均裁定英飞凌胜诉。

6月的同一周，全球GaN产业出现了一个近乎“分裂现实”的瞬间。

2026 年 6 月 12 日，最高人民法院正式发出临时禁令复议裁定书，维持苏州中院针对英飞凌的销售禁令，意味着从此刻起英飞凌相关氮化镓产品被禁止在中国境内销售。

英诺赛科基于自研的第三代氮化镓技术平台，推出高集成度900W Four-Switch Buck‑Boost变换器方案 ——INNDDD900A0，可实现升降压自如切换，简化系统设计并降低成本。满足电池、车载及工业设备中电压波动场景下的稳定供电需求。

美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会在针对英诺赛科的专利侵权案中做出裁决，裁定英飞凌胜诉

英诺赛科今日宣布，美国国际贸易委员会（“ITC”）在第 337‑TA‑1414 号调查中作出最终裁定，确认英诺赛科当前的氮化镓（“GaN”）功率器件产品未侵犯英飞凌的相关专利，并可不受限制地继续在美国进口和销售。