EUV

三星官方终于宣布了 Exynos 1280 芯片组，将会装备在 Galaxy A33、Galaxy A53 和 Galaxy M33 等手机上。

随着市场需求推动存储器技术向更高密度、更优性能、新材料、3D堆栈、高深宽比 (HAR) 刻蚀和极紫外 (EUV) 光刻发展，泛林集团正在探索未来三到五年生产可能面临的挑战，以经济的成本为晶圆厂提供解决方案。

早在 2019 年，代工厂就已经开始了有限度地将极紫外（EUV）光刻光刻技术应用于大批量的芯片制造（HVM）。然而影响 EUV 工艺普及的主要因素之一，就是光掩模（Pellicles）材料的缺乏，结果限制了 EUV 工艺的产能扩张。好消息是，近日有消息称，这种情况终于得到了改善，且有望在未来几年迎来进一步的发展。

11月14日——据TOMSHARDWARE报道，台积电表示其部署的极紫外光(EUV)光刻工具已占全球安装和运行总量的50%左右，这意味着其使用的EUV机器数量超过了业内其他任何一家公司。为了保持领先，台积电已经下单订购了至少13台ASML的Twinscan NXE EUV光刻机，将会在2021年全年交付，不过具体的交付和安装时间表尚不清楚。

据台媒报道，新冠肺炎疫情引爆远距商机，美中贸易战带动转单效应，8吋及12吋晶圆代工产能供不应求情况将延烧到明年全年。其中，龙头大厂台积电7/6nm及5nm等先进制程明年产能已被客户预订一空。

英特尔在14奈米及10奈米制程推进出现延迟，已影响到处理器推出时程，也让业界及市场质疑：摩尔定律是否已达极限？不过，英特尔仍积极寻求在7奈米时代重回摩尔定律的方法，其中两大武器，分别是被视为重大微影技术世代交替的极紫外光（EUV），以及开始采用包括砷化铟镓（InGaAs）及磷化铟（InP）等三五族半导体材料。

摩尔定律能否持续走下去，主要关键在于微影技术难度愈来愈高。目前包括英特尔、台积电、三星等大厂，主要采用多重曝光（multi-patterning）的浸润式微影（immersionlithography）技术，但当制程技术走到10奈米世代时，高密度的逻辑IC需要进行至少4次的曝光制程，制造成本自然大幅拉高。

为了解决微影曝光制程的成本问题，半导体大厂近几年已着手进行EUV微影技术的研发，近一年来，EUV技术虽然有明显突破，但在量产上仍未达到该有的经济规模。不过，根据EUV设备大厂艾司摩尔（ASML）的说明，今年若能将每日曝光晶圆产能提高到超过1,500片，将有助于业界开始采用EUV技术。