博客分享：单片机内部FLASH的字节操作
一般32位单片机的内部FALSH是不支持字节操作的，有的可以按字节读取，但是不能按字节写入。
而且，一般单片机内部FALSH擦除的最小单位都是页，如果向某页中的某个位置写入数据，恰好这个位置的前面存了其他数据，那么就必须把这页擦除，存的其他数据也会丢失。
实际上就是说内部的FALSH不好做改写的操作，如果有很多数据需要存放，最好是分页存储。这也是FALSH与E2PROM最大的区别，后者支持按字节操作且无需擦除，即使某一个地址写坏了，也不影响其他地址。
下面介绍一种方法让内部FLASH"支持"字节操作，且同一页的其他数据不受影响。
<strong>方法原理很简单，下面简单介绍下原理：</strong>
1.根据要写入地址，计算出该地址位于哪一页；
2.读出整个页，存入缓存BUF；
3.将要写入的数据按位置更新到BUF中；
4.擦除该页；
5.写入整个BUF。
可以看出这种方法弊端很明显：
1.耗时长 每次写都要读整个BUF，然后还要先把数据存到BUF里，然后再写入整个BUF；
2.FALSH擦写次数增加，降低使用寿命；