意法半导体发布50W GaN功率变换器,面向高能效消费及工业级电源设计 winniewei / 周四, 7 四月 2022 - 15:34 意法半导体 VIPerGaN50能够简化最高50 W的单开关反激式功率变换器设计,并集成一个 650V 氮化镓 (GaN) 功率晶体管,使电源的能效和小型化达到更高水平。 阅读更多 关于 意法半导体发布50W GaN功率变换器,面向高能效消费及工业级电源设计登录 发表评论
Wise-integration与益登科技针对GaN IC电源半导体产品的推广展开渠道合作 winniewei / 周四, 10 二月 2022 - 16:02 致力于开发GaN(氮化镓)芯片和GaN电源数字控制的先驱Wise-integration和亚洲电子元器件代理商与解决方案供应商益登科技,共同宣布针对GaN电源半导体产品进行渠道合作,拓展Wise-integration在亚洲市场的业务。 阅读更多 关于 Wise-integration与益登科技针对GaN IC电源半导体产品的推广展开渠道合作登录 发表评论
提升GaN SG HEMT性能:英飞凌推出全新EiceDRIVER™ 1EDN71x6G HS 200 V单通道门极驱动器系列产品 winniewei / 周一, 17 一月 2022 - 15:29 英飞凌科技股份公司依照其战略性设计GaN产品组合,不断加强全系统解决方案,推出EiceDRIVER™ 1EDN71x6G HS 200V单通道门极驱动器IC系列产品。 阅读更多 关于 提升GaN SG HEMT性能:英飞凌推出全新EiceDRIVER™ 1EDN71x6G HS 200 V单通道门极驱动器系列产品登录 发表评论
纳微半导体成立全球首家针对电动汽车的氮化镓功率芯片设计中心 winniewei / 周五, 14 一月 2022 - 13:46 下一代氮化镓功率芯片将加速充电更快,驾驶距离更远的电动汽车普及提前三年来到,并减少20%道路二氧化碳排放 阅读更多 关于 纳微半导体成立全球首家针对电动汽车的氮化镓功率芯片设计中心登录 发表评论
Microchip持续扩大氮化镓(GaN)射频功率器件产品组合 winniewei / 周四, 2 十二月 2021 - 10:43 全新单片微波集成电路(MMIC)和分立器件,可满足5G、卫星通信和国防应用的性能要求 阅读更多 关于 Microchip持续扩大氮化镓(GaN)射频功率器件产品组合登录 发表评论
GaN快充市场赛道提速,SRII交付半导体晶圆设备助力中国产能扩充 winniewei / 周一, 1 十一月 2021 - 14:58 随着苹果公司正式推出140W氮化镓(GaN)快充,以智能手机、笔记本电脑为代表的消费电子快充市场迎来了又一标杆性产品的重要拐点。近两年来,全球GaN充电器的出货量已经突破了数千万只。然而,这仅仅只是开端。 阅读更多 关于 GaN快充市场赛道提速,SRII交付半导体晶圆设备助力中国产能扩充登录 发表评论
TI推出全新GaN技术,携手台达打造高效能服务器电源供应器 winniewei / 周四, 23 九月 2021 - 17:50 德州仪器(TI)(纳斯达克代码TXN)今宣布其氮化镓(GaN)技术和 C2000™ 实时微控制器(MCU),辅以台达(Delta Electronics)长期耕耘之电力电子核心技术,为数据中心开发设计高效、高功率的企业用服务器电源供应器(PSU)。 阅读更多 关于 TI推出全新GaN技术,携手台达打造高效能服务器电源供应器登录 发表评论
意法半导体单片 GaN 栅极驱动器加速工业和家庭自动化并提高灵活性和集成度 winniewei / 周四, 9 九月 2021 - 11:25 意法半导体的 STDRIVEG600半桥栅极驱动器输出电流大,高低边输出信号传播延迟相同,都是45ns,能够驱动 GaN 增强型 FET 高频开关。 阅读更多 关于 意法半导体单片 GaN 栅极驱动器加速工业和家庭自动化并提高灵活性和集成度登录 发表评论
英飞凌和松下携手加速650V GaN功率器件的GaN技术开发 winniewei / 周三, 8 九月 2021 - 15:26 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)和松下公司签署协议,共同开发和生产第二代(Gen2)成熟的氮化镓(GaN)技术,提供更高的效率和功率密度水平。 阅读更多 关于 英飞凌和松下携手加速650V GaN功率器件的GaN技术开发登录 发表评论
ST 和Exagan开启GaN发展新篇章 winniewei / 周二, 7 九月 2021 - 13:53 氮化镓(GaN)是一种III-V族宽能隙化合物半导体材料,能隙为3.4 eV,电子迁移率为1,700 cm2/Vs,而硅的能隙和电子迁移率分别为1.1 eV和1,400 cm2/Vs。因此,GaN的固有性质让器件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻,这就是说,与同尺寸的硅基器件相比,GaN器件可以处理更大的负载,能效更高,物料清单成本更低。 阅读更多 关于 ST 和Exagan开启GaN发展新篇章登录 发表评论