MOSFET

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在新一代^[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），该系列适用于包括数据中心和光伏功率调节器等应用的开关电源。

要求严苛的高电压汽车与工业应用理想解决方案

非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用

韩国8英寸纯晶圆代工厂启方半导体(Key Foundry)今日宣布，该公司已经与威世集团(Vishay Intertechnology Inc.)(NYSE: VSH)签署了多款功率MOSFET产品的长期供应协议。

第四代器件，提高额定功率和功率密度，降低导通和开关损耗，从而提升能效

非常适用于通信基站和工业设备等的风扇电机，有助于设备进一步降低功耗和节省空间

英飞凌科技股份公司近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm²封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。

为满足新一代解决方案的需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压超结（SJ）MOSFET 的产品阵容。

采用最新一代工艺，可提供低导通电阻和扩展的安全工作区