ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”,功率半导体的仿真速度实现质的飞跃 winniewei / 周二, 10 六月 2025 - 14:43 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”,该模型提升了收敛性和仿真速度。 阅读更多 关于 ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”,功率半导体的仿真速度实现质的飞跃登录 发表评论
ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET winniewei / 周二, 3 六月 2025 - 16:33 兼具更宽SOA范围和更低导通电阻,被全球知名云平台企业认证为推荐器件 阅读更多 关于 ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET登录 发表评论
ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产 winniewei / 周二, 27 五月 2025 - 14:59 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。 阅读更多 关于 ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC开始量产登录 发表评论
ROHM推出实现业界超低导通电阻的小型MOSFET,助力快速充电应用 winniewei / 周四, 15 五月 2025 - 16:16 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出30V耐压共源Nch MOSFET新产品“AW2K21”,其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm,导通电阻低至2.0mΩ(Typ.),达到业界先进水平。 阅读更多 关于 ROHM推出实现业界超低导通电阻的小型MOSFET,助力快速充电应用登录 发表评论
ROHM推出高功率密度的新型SiC模块,将实现车载充电器小型化! winniewei / 周四, 24 四月 2025 - 16:26 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。 阅读更多 关于 ROHM推出高功率密度的新型SiC模块,将实现车载充电器小型化!登录 发表评论
ROHM推出支持负电压和高电压(40V/80V)的高精度电流检测放大器 winniewei / 周三, 9 四月 2025 - 09:12 4月8日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,最新推出符合车规标准AEC-Q100*1的高精度电流检测放大器“BD1423xFVJ-C”和“BD1422xG-C”。 阅读更多 关于 ROHM推出支持负电压和高电压(40V/80V)的高精度电流检测放大器登录 发表评论
ROHM开发出实现业界超高光辐射强度的小型表贴型近红外LED winniewei / 周二, 25 三月 2025 - 14:10 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出小型顶部发光型表贴近红外 (NIR)LED新产品,非常适用于VR/AR设备、工业光学传感器、人体感应传感器等应用。 阅读更多 关于 ROHM开发出实现业界超高光辐射强度的小型表贴型近红外LED登录 发表评论
ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET winniewei / 周四, 6 三月 2025 - 14:20 实现业界超低导通电阻和超宽SOA范围 阅读更多 关于 ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET登录 发表评论
ROHM开发出适用于便携式A4打印机的小型热敏打印头 winniewei / 周二, 18 二月 2025 - 14:09 8英寸型号,实现业界先进的11.67mm纵向宽度,7.2V驱动,打印更节能 阅读更多 关于 ROHM开发出适用于便携式A4打印机的小型热敏打印头登录 发表评论
ROHM 携手 ATX,650V 耐压 GaN HEMT “GNP2070TD-Z” 量产启航 winniewei / 周四, 13 二月 2025 - 15:03 同时加快车载GaN器件的开发速度,以尽快投入量产 阅读更多 关于 ROHM 携手 ATX,650V 耐压 GaN HEMT “GNP2070TD-Z” 量产启航登录 发表评论