Vishay推出的新款航天级平面变压器具有更低成本、更小尺寸和更高密度 winniewei / 周一, 13 五月 2024 - 16:48 可定制变压器采用独特的绕线结构和制造工艺,符合MIL-STD-981 S级标准 阅读更多 关于 Vishay推出的新款航天级平面变压器具有更低成本、更小尺寸和更高密度登录 发表评论
Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK封装的600 V E系列功率MOSFET winniewei / 周二, 7 五月 2024 - 14:21 第四代器件,额定功率和功率密度高于D2PAK 封装产品,降低导通和开关损耗,从而提升能效 阅读更多 关于 Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK封装的600 V E系列功率MOSFET登录 发表评论
Vishay推出饱和电流达230 A的超薄汽车级IHDF边绕电感器 winniewei / 周三, 24 四月 2024 - 15:56 通孔器件采用铁氧体磁芯技术,工作温度达+155 °C,直流内阻低,有助于减少功耗,提高效率 阅读更多 关于 Vishay推出饱和电流达230 A的超薄汽车级IHDF边绕电感器登录 发表评论
Vishay推出MiniLED封装高亮度小型蓝色和纯绿色LED winniewei / 周四, 18 四月 2024 - 15:32 SMD器件发光强度达2300 mcd,波长分别为525 nm和465 nm,适用于心率监测和烟雾探测 阅读更多 关于 Vishay推出MiniLED封装高亮度小型蓝色和纯绿色LED登录 发表评论
Vishay推出旋钮电位器,简化工业和音频应用设计并优化成本 winniewei / 周三, 20 三月 2024 - 11:21 器件内置旋钮开关,IP67密封,介电强度高达5000 VAC,额定功率1 W 阅读更多 关于 Vishay推出旋钮电位器,简化工业和音频应用设计并优化成本登录 发表评论
Vishay的新款80 V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达到业内先进水平,可显著提高功率密度、能效和热性能 winniewei / 周四, 14 三月 2024 - 10:02 节省空间型器件所需PCB空间比PowerPAIR 1212封装分立器件减少50 %,有助于减少元器件数量并简化设计 阅读更多 关于 Vishay的新款80 V对称双通道 MOSFET的RDS(ON) 达到业内先进水平,可显著提高功率密度、能效和热性能登录 发表评论
Vishay推出升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外收发器模块,延长链路距离,提高抗ESD可靠性 winniewei / 周三, 13 三月 2024 - 15:28 器件符合IrDA®标准,采用内部开发的新型IC和表面发射器芯片技术,可以即插即用的方式替换现有解决方案 阅读更多 关于 Vishay推出升级版TFBS4xx和TFDU4xx系列红外收发器模块,延长链路距离,提高抗ESD可靠性登录 发表评论
Vishay推出的新款浪涌限流PTC热敏电阻可提高有源充放电电路性能 winniewei / 周三, 6 三月 2024 - 11:47 自我保护器件R25阻值达1 kW,可处理直流电压高达1200 VDC,能量吸收能力达240 J,适于汽车和工业应用 阅读更多 关于 Vishay推出的新款浪涌限流PTC热敏电阻可提高有源充放电电路性能登录 发表评论
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块,降低导通和开关损耗 winniewei / 周四, 29 二月 2024 - 10:22 半桥器件采用Trench IGBT技术,可选低VCE(ON)或低Eoff,适用于大电流逆变级 阅读更多 关于 Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块,降低导通和开关损耗登录 发表评论
Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK® 1212-F封装的TrenchFET® 第五代功率MOSFET winniewei / 周二, 20 二月 2024 - 11:09 器件采用中央栅极结构3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212F封装,提高系统功率密度,改进热性能 阅读更多 关于 Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK® 1212-F封装的TrenchFET® 第五代功率MOSFET登录 发表评论