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SiC MOSFET

芯联集成推出3300V SiC MOSFET 为固态变压器"减负降本"

winniewei /
芯联集成(688469.SH)日前宣布,依托自研8英寸碳化硅(SiC)工艺平台,公司正式推出3300V SiC MOSFET器件。该产品面向固态变压器(SST)等高压、高功率密度、高可靠性应用场景深度定制,目前已向核心客户送样验证。