技术

由于多种不同的原因，可能需要在电流检测放大器(CSA)的输入或输出端进行滤波。今天，我们将重点谈谈在使用真正小的分流电阻(在1 mΩ以下)时，用NCS21xR和NCS199AxR电流检测放大器实现滤波电路。低于1 mΩ的分流电阻具有并联电感，在电流检测线上会引起尖峰瞬态事件，从而使CSA前端过载。我们来谈谈滤除这些特定的尖峰瞬态事件的主要考虑因素。

在某些应用中，被测量的电流可能具有固有噪声。在有噪声信号的情况下，电流检测放大器输出后的滤波通常更简单，特别是当放大器输出连接到高阻抗电路时。放大器输出节点在为滤波器选择组件时提供了最大的自由度，并且实现起来非常简单，尽管它可能需要后续的缓冲。

<font color="#FF0000">作者：贸泽电子Rudy Ramos</font>

电容器可用于提供重要的穿越（ride-through）（或保持）能量，或用于减小电源转换电路中的纹波及噪声。选择正确类型的电容器可能会对系统的总体尺寸、成本和性能产生深远的影响。本文将讨论一些常见应用中薄膜和电解电容器的优势。

<strong>薄膜和电解电容器：基本比较</strong>

<strong>摘要</strong>

本文首先介绍了关于EMI 常规知识以及在开关电源中使用的各种缓冲吸引电路。然后介绍了在EMI中和传导相关的共模及差模电流产生的原理，静点动点的概念，并详细的说明了在变压器的结构中使用补偿设计的方法。最后介绍了EMI 的发射产生的机理和频率抖动及共模电感的设计。

目前，Y 电容广泛的应用在开关电源中，但Y 电容的存在使输入和输出线间产生漏电流。具有Y 电容的金属壳手机充电器会让使用者有触电的危险，因此一些手机制造商目前开始采用无Y 电容的充电器。然而摘除Y 电容对EMI 的设计带来了困难。具有频抖和频率调制的脉宽调制器可以改善EMI 的性能，但不能绝对的保证充电器通过EMI 的测试，必须在电路和变压器结构上进行改进，才能使充电器满足EMI 的标准。

下一代5G网络的愿景是：相比现有的4G网络，在容量、覆盖范围和连接性方面实现数量级提升，同时大大降低运营商和用户的每比特数据成本。图1显示了5G技术和网络实现的多项使用案例和服务。5G新无线电(NR)标准化第一阶段的重点是定义一种无线电接入技术(RAT)，利用新的宽带频率分配(包括6GHz以下和24GHz以上的频段)，以实现国际移动通信2020年及之后的愿景展望中提出的大峰值吞吐量和低延时。

本篇文章带您了解如何利用以太网为工业市场供电！

为工业以太网器件供电需要解决工业以太网和工业应用的几个特定问题。

标准以太网与工业以太网之间最大的区别在于拓扑结构，如图1所示。标准以太网为星形拓扑，而工业以太网则包含线形、树形和环形等多种不同的拓扑结构。

<strong>1. 低噪声放大器（LNA）</strong>

LNA 是一种特殊的放大器，主要用于射频接收机前端，将天线接收的信号以小的噪声和大的增益进行放大，对提高接收信号质量，降低噪声干扰，提高接收灵敏度有着极其重要的意义，它的性能好坏关系到整个通信系统的质量。

低噪声放大器的主要指标有：噪声系数（NF）、增益（Gain）、输入输出阻抗匹配程度（S11、S22、输入输出回波损耗或输入输出 VSWR）、线性性能（三阶交调点和 1dB压缩点）、反向隔离（S12）等。由于 LNA位于邻近天线的最前端，它的性能好坏会直接影响接收机接收信号的质量。为了保证经天线接收的信号能在接收机的最后一级得到恢复，LNA 需要在放大信号的同时产生尽可能低的噪声和失真。因此，在生产测试中，我们主要关注LNA的增益和噪声系数这两个参数。

ADALM2000 (简称：M2K)主动学习模块是一种经济实惠的USB供电软件定义仪器，将ADALM1000 (简称：M1K)主动学习模块的功能提升到更高水平。M2K内置以100 MSPS速率运行的12位ADC和DAC，可将高性能实验室设备的功能以手掌大小器件实现，使电气工程学生和爱好者能够探索几十MHz范围内的信号和系统，不存在传统实验设备相关的成本和容量。M2K配合ADI公司运行于计算机上的'Scopy'图形应用软件使用，向用户提供了许多高性能仪表选项。M2K还提供用于构建电路的部件套件，ADALP2000。

<strong>将理论和实践联系在一起</strong>

<strong>安规的含义</strong>

以法规的形式实现电在应用中的安全；是安全规范（法律法规）和安全标准的简称。

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<strong>执行安规的目的</strong>

<strong><font color="#FF0000">作者：Steve Schriber</font> </strong>

遥测技术在通信领域是一个相对古老的概念，在上世纪初传感器就具备了远距离发送信号的能力，这让科学家能够远程监控终端机器和其他活动，而到了现在借助计算机处理器，机器可以接收传感器和其他机器的数据并进行相关操作，从而实现了机器—机器（M2M）之间的通信。如今互联网的使用使得数据和信息的通信激增，推动了标准协议的制定。

物联网（IoT）根据用途具有不同的意义，在商业和工业方面可以划分为两个领域：工业物联网（IIoT）和物联网（IoT），两者之间一些关键的区别在于：

<strong>步进电机的操作模式</strong>

步进电机的基本操作模式称为“励磁模式”，能够使步进电机工作在全步模式、半步模式和微步模式，其中微步模式能够有效的降低步进电机相电流的噪声，能够改善步进电机固有的噪声震动问题。下面将介绍3种励磁模式。

<strong>全步模式</strong>

所谓全步模式，就是依据电机固有结构设计固定的步距角工作，一个电脉冲，步进电机前进一个步距角。这个步距角使电机设计结构所决定的，也可以理解为电机以最大的步距角旋转。

<strong>1、SiC材料的物性和特征</strong>

SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多种晶型，它们的物性值也各不相同。其中，4H-SiC最合适用于功率器件制作。另外，SiC是唯一能够热氧化形成SiO2的化合物半导体，所以适合制备MOS型功率器件。

<strong>01、什么是步进电机？</strong>

步进电机是将电脉冲信号，转变为角位移或线位移的开环控制电机，又称为脉冲电机。在非超载的情况下，电机的转速、停止的位置只取决于脉冲信号的频率和脉冲数，而不受负载变化的影响。当步进驱动器接收到一个脉冲信号时，它就可以驱动步进电机按设定的方向转动一个固定的角度，称为“步距角”。

在我们接下来关于<a href="http://mouser.eetrend.com/content/2018/100012187.html">电流检测放大器</a>的博客中，我们将谈谈如何配置NCS21xR和NCS199AxR电流放大器，以使其输出精确的电流。在某些应用中，系统数据读取板离监测系统电流的电路较远。

随着单片机系统越来越广泛地应用于消费类电子、医疗、工业自动化、智能化仪器仪表、航空航天等各领域，单片机系统面临着电磁干扰(EMI)日益严重的威胁。电磁兼容性(EMC)包含系统的发射和敏感度两方面的问题。如果一个单片机系统符合下面三个条件，则该系统是电磁兼容的：

① 对其它系统不产生干扰;
② 对其它系统的发射不敏感;
③ 对系统本身不产生干扰。

工程师都知道实际的开关电源半桥拓扑都有一个隔直电容，其实在原理拓扑中是没有这个电容的。

这个电容的存在一定是有它的道理的，该如何理解，又该如何计算它的容量？

任何器件选型，你都不可能对所有相关的技术指标面面俱到完全兼顾。对于ADC也是一样，但是到底有哪些指标值得你的关注？哪些指标不可忽略？选择转换器时，工程师通常只关注分辨率、信噪比（SNR）或者谐波。这些虽然很重要，但其他技术指标同样举足轻重。

工程师Brad Brannon指出了9个常被忽略的ADC技术指标。一起来看看，你常忽略了哪些？

<strong>分辨率</strong>

MOSFET和IGBT内部结构不同,于是也决定了其应用领域的不同，今天就让小编带大家一起来了解一下MOSFET与IGBT的本质区别吧~

1、由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但耐压能力没有IGBT强。

2、IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ，那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛，MOSFET可以工作到几百KHZ，上MHZ，以至几十MHZ。

3、就其应用：根据其特点MOSFET应用于开关电源,镇流器,高频感应加热；高频逆变焊机；通信电源等等高频电源领域；IGBT集中应用于焊机，逆变器，变频器，电镀电解电源，超音频感应加热等领域。

<strong>单级PFC电路的特点</strong>

<strong>优点:</strong>

1: PF值较高,可达0.95以上

2: 电路简单,成本低,初级无电解电容

3: 功率密度高,相对体积小

<strong>缺点:</strong>

1: 100Hz工频纹波大，不适用于低电压输出

2: MOS管承受应力大

3: 由于无电解浪涌难过

4: 做LED驱动电源时频闪问题不好调

5: 保持时间短

6: THD大于10%

<strong>管脚号管脚名称功能描述</strong>

<strong>引言</strong>

开关电流技术是近年来提出的一种新的模拟信号采样、保持、处理技术。与已成熟的开关电容技术相比，开关电流技术不需要线性电容和高性能运算放大器，整个电路均由MOS管构成，因此可与标准数字CMOS工艺兼容，可与数字电路使用相同工艺，并集成在同一块芯片上，所以也有人称之为数字工艺的模拟技术。但是开关电流电路中存在一些非理想因素，如时钟馈通误差和传输误差，它直接影响到电路的性能。

本文详细分析了第二代开关电流存储单元存在的问题，提出了改进方法，并设计了延迟线电路。此电路可以精确地对信号进行采样并延迟任意时钟周期。解决了第二代开关电流存储单元产生的误差，利用此电路可以方便地构造各种离散时间系统函数。

<strong>功率MOSFET的正向导通等效电路</strong>

（1）：等效电路

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（2）：说明：