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Infineon新款XENSIV MEMS麦克风在贸泽开售,可在更远距离接收语音指令

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PCB差分走线的阻抗控制技术(二)

<strong>四、两种差分TDR测试方法的对比</strong>

<strong>方法一:</strong>真差分测试法如图6所示:阶跃信号A和阶跃信号B是一对方向相反、幅度相等且同时发出的差分阶跃信号。

我们不但在差分TDR设备上看到差分的阶跃信号,而且当我们使用一台实时示波器来观测这对阶跃信号时可以证实这是真正的差分信号。

如何减轻米勒电容所引起的寄生导通效应?

<strong>序言</strong>

当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合,在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt,这样会引发门极VGE间电压升高而导通,这是一个潜在的风险(如图1)。

可编程电源五大应用分析

随着各种电器和仪表设备的日渐丰富,对电源应用的灵活性提出了更高的要求。设计一款使用灵活、方便且价格相对便宜的通用电源,正越来越成为市场所需。现代单片机正朝着处理速度越来越快,外设资源越来越丰富,价格越来越便宜的方向发展,将单片机融入电源的设计中可以极大地提升电源的性能和灵活性。

通过对电源的编程,可以方便地实现图1所示的电压输出波形。其中,V1、V2、T1、T2、dv、dt都是可以通过编程来设定的。电压值的输出范围为0~16 V,最大输出电流为10 A。输出电压精度为0.1 V,电流精度为10 mA。电流的设定值指的是允许输出的最大电流,也可以被编程为与输出电压一样的波形。

常被忽略的九项ADC技术指标,你常忽略哪些?

任何器件选型,你都不可能对所有相关的技术指标面面俱到完全兼顾。对于ADC也是一样,但是到底有哪些指标值得你的关注?哪些指标不可忽略?选择转换器时,工程师通常只关注分辨率、信噪比(SNR)或者谐波。这些虽然很重要,但其他技术指标同样举足轻重。

ADI系统应用工程师Brad Brannon指出了9个常被忽略的ADC技术指标。一起来看看,你常忽略了哪些?

<strong>分辨率</strong>

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PCB差分走线的阻抗控制技术(一)

<strong>一、引言</strong>

为了提高传输速率和传输距离,计算机行业和通信行业越来越多的采用高速串行总线。在芯片之间、板卡之间、背板和业务板之间实现高速互联。这些高速串行总线的速率从以往USB2.0、LVDS以及FireWire1394的几百Mbps到今天的PCI-Express G1/G2、SATA G1/G2 、XAUI/2XAUI、XFI的几个Gbps乃至10Gbps。计算机以及通信行业的PCB客户对差分走线的阻抗控制要求越来越高。这使PCB生产商以及高速PCB设计人员所面临的前所未有的挑战。本文结合PCB行业公认的测试标准IPCTM-650手册,重点讨论真差分TDR测试方法的原理以及特点。

<strong>二、IPC-TM-650手册以及PCB特征阻抗测试背景</strong>

【视频】谁说工程师们没有春天的?看这个【技术宅男】是如何完美蜕变的!

夜幕降临,工程师们的办公室里依旧灯火通明。每天除了加班,加班,还是加班!

有人说工程师有N种死法~

客户需求愁死你;
各种方案憋死你;
加班加点困死你;
电路设计画死你;
故障处理忙死你;
......

每天忙忙碌碌,一脸无措。此时,工程师们感叹:属于我的春天都去哪了?

今天,小编为你找到好的“诀窍”,让工程师们也能拥有春天!不信?那就让我们一起来见证奇迹的时刻吧~

秒懂时钟Part 7: 探讨时钟相位噪声测量中的杂散(下篇)

在本辑的“秒懂时钟”文章中,我想继续上期关于时钟相位噪声测量中杂散的讨论。上次我们说道,时钟相位噪声图中的杂散信号是离散频率分量。杂散通常很少且幅度较低,但通常不受欢迎,因为它们会影响时钟的总抖动。

然而,杂散也可以用于时序设备的评估和表征。我们可以使用配置为低电平调制的实验室信号源将直接或间接的频率分量作为输入激励应用于时钟设备或系统。然后用频谱分析仪或相位噪声分析仪测量得到的输出时钟杂散。

在这篇文章中,我将简要回顾一下适合的信号调制选项。接下来我将讨论一些值得注意的测量。最后,我将给出选择示例的结果,抖动传输。欢迎观看完整文章。

<strong>调制选择,既不是所有杂散都是相等的</strong>

深入理解MOSFET规格书datasheet

作为一个电源方面的工程师、技术人员,相信大家对 MOSFET 都不会陌生。在电源论坛中,关于MOSFET 的帖子也应有尽有:MOSFET 结构特点/工作原理、MOSFET 驱动技术、MOSFET 选型、MOSFET 损耗计算等,论坛高手、大侠们都发表过各种牛贴,我也不敢在这些方面再多说些什么了。

工程师们要选用某个型号的 MOSFET,首先要看的就是规格书/datasheet,拿到 MOSFET 的规格书/datasheet 时,我们要怎么去理解那十几页到几十页的内容呢?

本帖的目的就是为了和大家分享一下我对 MOSFET 规格书/datasheet 的理解和一些观点,有什么错误、不当的地方请大家指出,也希望大家分享一下自己的一些看法,大家一起学习。

PS: 1. 后续内容中规格书/datasheet 统一称为 datasheet