<strong>摘要</strong>

模拟带宽的重要性高于其他一切在越来越多的应用中得到体现。随着GSPS或RF ADC的出现，奈奎斯特域在短短几年内增长了10倍，达到多GHz范围。这帮助上述应用进一步拓宽了视野，但为了达到X波段（12 GHz频率），仍然需要更多带宽。在信号链中运用采样保持放大器 (THA)，可以从根本上扩展带宽，使其远远超出ADC采样带宽，满足苛刻高带宽的应用的需求。本文将证明，针对RF市场开发的最新转换器前增加一个THA，便可实现超过10 GHz带宽。

<strong>简介</strong>

来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极；CMOS器件中的触发器锁死;短路反偏的PN结;短路正向偏置的PN结;熔化有源器件内部的焊接线或铝线。为了消除静电释放（ESD）对电子设备的干扰和破坏，需要采取多种技术手段进行防范。
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在PCB板的设计当中，可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。在设计过程中，通过预测可以将绝大多数设计修改仅限于增减元器件。通过调整PCB布局布线，能够很好地防范ESD。以下是一些常见的防范措施。
　　

搭了个H桥电路，控制电机的正反转和PWM调速，程序是网上的，改改引脚就能用，电路和源程序如下：

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<strong>功能：P1.1按键停止，P1.2左转，P1.3右转，P1.0调速</strong>

前面的文章讲述过基于功率MOSFET的漏极特性理解其开关过程，也讨论过开关电源的PWM及控制芯片内部的图腾驱动器的特性和栅极电荷的特性，基于上面的这些理论知识，就可以估算功率MOSFET在开关过程中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。

功率MOSFET及驱动的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功率MOSFET内部的栅极电阻，RG=RUp+RG1+RG2为G极串联的总驱动电阻。

本视频将使用MPLAB®代码配置器（MCC）向大家展示USB时钟的基本设置。 演示中将使用16位单片机PIC24FJ256GB412，它集成了USB和硬件加密模块，并具有超低功耗等功能。

在激增的高质量传感器、可靠连接和数据分析的共同推动下，工业效率迈上了新的台阶，而不断提高这些智能节点的自动化和移动化程度也能带来好处。在这些情况下，对传感器节点进行精密运动捕捉和位置跟踪成为事关应用成败的核心。这样，智能农场就可以基于丰富的地理位置、传感器内容以及分析学习结果来联合利用自动化地面车辆和航空器更加有效地指导地面作业。智能手术室将经典的导引技术带到手术台上，供精密制导机械臂使用，其运用传感器融合技术来确保各种条件下的精准导引。在多个领域，基于运动的传感器成为移动应用的价值倍增器。

手机中普遍存在的消费类惯性传感器使人们对其精度普遍感到失望，因此，在推动运动物联网(IoMT)的概念方面，迄今都没有什么成效。然而，新型高性能工业传感器能支持精确的角度指向和精确的地理定位性能，同时还能达到必要的尺寸和成本效率要求，故而现在又做好了推动运动物联网发展的准备。

刚拿到STM32时，你只编写一个死循环

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编译后，就会发现这么个程序已用了1600多的RAM，这要是在51单片机上，会心疼死了，这1600多的RAM跑哪儿去了，分析.map文件,你会发现是堆和栈占用的

<strong><font color="#FF0000">作者：滕俊青，张之也，刘松，丁宇</font> </strong>

在笔记本电脑、LCDTV、蓝光DVD以及通讯系统的主板上通常会用到多个非隔离的DCDC变换器或LDO，以得到不同的电压分别给CPU的核及I/O、专用IC及存储器等芯片供电。为了提高系统的效率，通常几个大电流的DCDC变换器直接由输入的直流电压供电。由于DCDC变换器的工作频率高，形成一个很强的骚扰源，会产生很高的开关噪声，从而会在电源的输入端产生差模与共模干扰信号。对于共输入多路DC/DC变换器而言，当它们在空间上比较靠近时，更容易互相干扰，产生差频的噪声。本文将以共输入的二路DC/DC变换器为例，来讨论差频的噪声产生原因和解决办法。

本视频将介绍使用PIC32MM系列32位单片机的高性价比无传感器BLDC电机控制解决方案。

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<strong>去耦和旁路电容的选择</strong>

由于存在自谐频率(SRF)，现实中电容的有效频率范围是有限的。可以从制造商处获得SRF，但有时候必须通过直接测量进行特征分析。SRF以上时，电容呈现感性，因此不具备去耦或旁路功能。如果需要宽带去耦，标准做法是使用多个(电容值)增大的电容，全部并联。小电容的SRF一般较大(例如，0.2pF、0402 SMT封装电容的SRF = 14GHz)，大电容的SRF一般较小(例如，相同封装2pF电容的SRF = 4GHz)。表2所列为典型配置。

对于新手来说，在单片机的电路设计中可能不会很注意电路设计中电磁干扰对设计本身的输入输出的影响，但是对于一个电子工程师来说其中的厉害关系就不言而喻了，它不仅关系了单片机在控制在中的能力和准确度，还关系到企业在行业中的竞争。

对电磁干扰的设计我们主要从硬件和软件方面进行设计处理，下面就是从单片机的PCB设计到软件处理方面来介绍对电磁兼容性的处理。

<strong>一、影响EMC的因数</strong>

<strong>1.电压</strong>

电源电压越高，意味着电压振幅越大，发射就更多，而低电源电压影响敏感度。

<strong>2.频率</strong>

最近，开关电源几乎用于所有电子设备中。它们由于尺寸小、成本低和效率高而具有极高的价值。但是，它们最大的缺点就是高开关瞬态导致高输出噪声。这个缺点使它们无法用于以线性稳压器供电为主的高性能模拟电路中。实践证明，在很多应用中，经过适当滤波的开关转换器可以代替线性稳压器从而产生低噪声电源。哪怕在要求极低噪声电源的苛刻应用中，上游电源树的某个地方也有可能存在开关电路。因此，有必要设计经过优化和阻尼处理的多级滤波器，来消除开关电源转换器的输出噪声。此外，了解滤波器设计如何影响开关电源转换器的补偿也很重要。

本文示例电路将采用升压转换器，但结果可以直接应用于任意DC-DC转换器。图1所示为升压转换器在恒定电流模式(CCM)下的基本波形。

<strong>传输线弯角补偿</strong>

由于布线约束而要求传输线弯曲时(改变方向)，使用的弯曲半径应至少为中间导体宽度的3倍。也就是说：

<center>弯曲半径 ≥ 3 × (线宽)</center>

这将弯角的特征阻抗变化降至最小。

如果不可能实现逐渐弯曲，可将传输线进行直角弯曲(非曲线)，见图6。然而，必须对此进行补偿，以减小通过弯曲点时本地有效线宽增大引起的阻抗突变。标准补偿方法为角斜接，如下图所示。最佳的微带直角斜接由杜维尔和詹姆斯(Douville and James)公式给出：

LoRa是美国的Semtech公司于2013年8月发布的一种基于线性扩频技术的超远距离低功耗无线传输技术。它与NB-IoT均采用星型网络拓扑结构，终端均需要通过射频与网关或基站连接，并通过网关或基站来实现大范围的网络信号覆盖。因此，LoRa和NB-IoT天然就存在竞争关系。
　　
LoRa工作在免费的非授权频谱上，任何企业都可以自行组网，因此不依赖于移动运营商的网络覆盖，也无需向运营商支付网络使用费用。而NB-IoT工作在授权频谱上，网络运营集中在移动运营商手里，其覆盖也受制于移动运营商的网络覆盖。但受益于无处不在的LTE网络部署，理论上说，NB-IoT的覆盖更广。
　　

本视频为大家讲解低速模数混合系统电路设计。

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我们经常在教科书上或者IC原厂的PCB设计指南里看到，在layout的最后，我们应当对PCB的外层进行铺铜处理，即用良好接地的铜箔铺满PCB空白区域。

在PCB外层覆铜的好处如下：

<font color="#FF0000">签订全球扩充分销协议增进合作</font>

<strong><font color="#FF0000">作者：Bill Schweber 贸泽电子</font> </strong>

自从无刷直流电机诞生，“古老的”有刷电机就开始没落，但它依然是低成本应用的可靠选择。

在有刷电机中，磁极方向的跳转是通过移动固定位置的接触点来完成的，该接触点在电机转子上与电触点相对连接。这种固定触点通常由石墨制成，与铜或其他金属相比，在大电流短路或断路/起动过程中石墨不会熔断或者与旋转触点焊接到一起，并且这个触点通常是弹簧承载的，所以能够获得持续的接触压力。

LTC7000 是一款快速、受保护的高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，该器件包含一个内部充电泵，因而允许外部 N 沟道 MOSFET 无限期地保持导通。LTC7000 接收一个低电压数字输入信号，并能以 35ns 的传播延迟完全接通或关断一个其漏极可高出地电位达 135V 的高压侧 N 沟道 MOSFET。LTC7000 拥有针对电源、外部 MOSFET 和负载的保护功能，例如：过流跳变、故障标记、欠压和过压闭锁。

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本应用笔记提供关于射频(RF)印刷电路板(PCB)设计和布局的指导及建议，包括关于混合信号应用的一些讨论，例如相同PCB上的数字、模拟和射频元件。内容按主题进行组织，提供“最佳实践”指南，应结合所有其它设计和制造指南加以应用，这些指南可能适用于特定的元件、PCB制造商以及材料。