技术

<br>我们在家居生活中，亮度是保护我们眼睛最重要的灵药，家中许多老人、儿童等在房间里面，如果亮度不足，不但没有安全感，对视力的保健，更是一大杀手。如果我们如果在家里看到这样的情形，当然可以马上调整光线，但是如果我们在外面上班，就不太容易查觉到这样隐藏的问题。</br>

因此，如果我们用Arduino来照顾我们的眼睛，可以通过手机上网，直接使用浏览器可以监控我们家的亮度或许是个可行的应用，所以我们想到使用Arduiono，通过简单的上网扩充卡，瞬间就让我们的家庭进化成先进的智慧家庭。所以本文就要告诉读者，如何简单、快速、有效的建立一个居家亮度监控的物联网。

<font color="#FF8000">作者：Dorsey Standish, 德州仪器（TI） DLP 产品先进光控项目经理</font>

光谱分析自从作为一项实验室技术问世以来，迄今已经取得了很大的发展。手持近红外（NIR）光谱分析仪的尺寸在不断变小，成本也越来越低，在一定程度上，这归功于新出现的系统架构，这个系统充分利用微机电系统（MEMS）组件。我们来深入研究一下这些硬件优化如何在光谱分析行业中实现更简单且更加便携的未来。

<br>本指南将为您介绍如何运行示例 sketch，以使用 Eclipse IDE 使英特尔® 物联网开发板上的 LED 指示灯闪烁。这些说明主要针对带有 Arduino* 扩展板的英特尔® Edison 模块，或英特尔® Galileo 开发板。针对带有迷你 breakout 开发板的英特尔® Edison 模块的步骤可能会稍有不同。</br>

<strong><font size="5">要求</font></strong>

您已组装完开发板并将其连接至系统，并安装了所需的全部驱动程序。具体步骤请参阅：

<br><strong><font size="5">三极管的初步认识 </font></strong></br>

三极管是一种很常用的控制和驱动器件，在数字电路和模拟电路中都有大量的应用，常用的三极管根据材料分有硅管和锗管两种，原理相同，压降略有不同，硅管用的较普遍，而锗管应用较少，以下以硅管为例进行讲解。三极管有 2 种类型，分别是 PNP 型和 NPN 型。先来认识一下，如下图所示。三极管一共有 3 个极，横向左侧的引脚叫做基极(base)，中间有一个箭头，一头连接基极，另外一头连接的是发射极 e(emitter)，剩下的一个引脚就是集电极 c(collector)。

<br>本文将介绍如何使用 Node.js* API 建立与 IBM* Bluemix* 云服务的连接， 包括创建 Bluemix 应用、添加 mongoDB* 连接，以及保存和检索数据。</br>

<strong><font size="5">创建 Bluemix 应用</font></strong>

<br>如果说HTC Vive、索尼PSVR这样的产品给我们打开了迈入虚拟世界的一扇门的话，那么它们装配的控制手柄则是我们与这个虚拟世界进行交互的双手。但拿着手柄与世界的交互终究会破坏这种置身于另一个世界的沉浸感，无时无刻不在提醒着我们这是一个虚拟世界。为了解决这个问题，一些公司将广泛应用在影视行业里的动作捕捉技术带到来VR领域，让用户能够扔掉手柄，通过真实的触摸、抓起、走动以及各种动作来与虚拟世界进行交互。</br>

几年以前，智能家居的目标人群只是高收入阶层。到如今的2016年，我们可以看到智能家居解决方案价格变得让更多人可以购买，成为了普通家庭日常生活的一部分。智能监控摄像机、无线扬声器、智能门、供水系统等都可以进行通信，创建局部网络，而且几乎从任何地方都可以对其进行访问和控制。

谈到无线连接，近期的发展主要关于：

更快的数据传输速度
安全、安全和更多的安全
低功耗——电池寿命更长
占用空间更小——尺寸更小，更便宜的产品
上述这些事情使得物联网(IoT)的梦想成真，但是整个拼图至少还缺少一个主要部分，这就是Mesh网络发挥作用之处。

作者 Barry Manz, Mouser Electronics

GaN赢在哪里

下面列出GaN的几个突出优点：
1.有源相控阵(AESA)雷达和电子战(EW)系统：这些是碳化硅衬底氮化镓（或者是金刚石衬底）晶体管或者单片微波集成电路（MMIC）的关键应用，而且多年来已经成为这个领域的事实标准，因为当前或再过几年都没有其他技术可以可供碳化硅衬底氮化镓的功率密度和其他优势。

<font color="#FF8000">作者 Steven Keeping, Mouser Electronics </font>

FIA认可的街头循环系列赛展示了电动汽车的性能，并承诺将改变行业沉闷的形象

电动汽车（EV）——一种使用一个或多个电动马达驱动的车辆，其电动马达从电池获得动力，而电池则需要从外部电力供应来充电——-正遇到沉闷形象的问题。相较于动力无限的Detroit V8发动机的狂野咆哮，或者是欧洲运动轿车直列6缸汽油发动机的尖叫轰鸣，日产Leaf的同步电动马达转动时仅嗡嗡作响，但这并不意味着它就“低人一等”。

<font color="#FF8000">作者 Jack Shandle, Mouser Electronics</font>

现场可编程门阵列（FPGA）和复杂可编程逻辑器件（CPLD）都属于大型可编程逻辑器件，十年前它们发明伊始是为了充当胶合逻辑以及ASIC原型器件，但自出现后，它们的功能扩展非常迅速。嵌入式加速器和微处理器应用曾经一度仅使用DSP和ASSP，但FPGA以及CPLD后来也成为了强有力的候选。一旦设计师了解FPGA和CPLD架构的基础知识，就可以提升许多设计的性能、效率并缩短设计周期。

<font color="#FF8000">作者:Barry Manz, Mouser Electronics </font>

氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花？看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样认为，毕竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作电压(减少了阻抗变换损耗)，更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出，这就是GaN，无论是在硅基、碳化硅衬底甚至是金刚石衬底的每个应用都表现出色！帅呆了！

至少现在看是这样，让我们回顾下不同衬底风格的GaN：硅基、碳化硅（SiC）衬底或者金刚石衬底。

蓝牙5.0是蓝牙技术联盟（Bluetooth Special Interest Group）于2016年6月16日发布的新一代蓝牙标准。新标准将比蓝牙4.2有全面的提升，无论是通信速度、通信距离还是通信容量都有大幅度的改善。

官方表示，全新蓝牙5.0标准在性能上将远超目前的版本，也就是蓝牙4.2LE版本，包括在有效传输距离上将是4.2LE版本的4倍，也就是说，理论上，蓝牙发射和接收设备之间的有效工作距离可达300米。 而传输速度是4.2LE版本的2倍，速度上限为24Mbps。蓝牙5.0来了！震动智能家居市场！

其实蓝牙5的发布对于我们的影响绝不亚于5G标准的发布，因为在我们的日常生活中，蓝牙技术已经无处不在，手机、耳机、智能手表、智能手环、智能台灯、智能电饭煲等等太多太多的智能硬件设备其实都是采用蓝牙传技术传输。

<br>你只看见创客们的成长，却忘记了陪伴创客成长的操作系统！4个嵌入式操作系统给你最长情的陪伴。</br>

从2010年开始脱离书本，步入实践以来，经手了N多的各类开发板，有ST公司的，NXP公司的，也有瑞萨的，还有更强大的英特尔的开发板，它们已然成为我的嵌入式生活一部分。当然，本篇文章并不是来介绍这些我喜欢的开发板，而是要介绍部署于这些开发板上的嵌入式操作系统。

对于嵌入式的典型应用里，前后台系统是最容易部署，也是简单应用系统的最佳选择，例如我们最最常见的点灯程序，我们只需要延时一段时间，并反转MCU引脚IO的状态即可实现该功能。简单几行代码即可实现，但是如果是复杂的应用系统，即需要引入“任务”的概念时，前后台系统的任务调试能力也就捉襟见肘了。这时，有效解决这个难点的嵌入式操作系统便可以大显身手了。

NCP323X系列是安森美半导体针对低压、大电流、小体积，如蜂窝通讯基站、服务器及系统存储设备等应用的DC-DC降压调整器，提供大输出电流(额定最大输出电流范围为15 A至40 A)、宽输入电压(3 V 至21 V)范围，输出电压可低至0.6 V，内置过压、过流、短路、过热保护等丰富的保护特性，其中创新的过流保护模式能在负载严重短路时提供可靠保护，高带宽、大驱动电流输出误差放大器提供快速的负载瞬态响应，具有高集成度、高能效等优势。

作者 Landa Culbertson, Mouser Electronics

<strong>WBG在RF中的应用</strong>

TriQuint和Cree等厂商也供应基于GaN的射频器件，它们以相似的价格在物理和性能上提供了相对于硅的关键优势。 GaN的高功率密度会带来更小的器件和系统，其主要原因是输入和输出电容得以减少，同时运行带宽得以增加。GaN的高击穿场允许更高的工作电压，也简化了阻抗匹配。 GaN器件的宽带能力提供了很宽的频率范围，以同时覆盖应用的中心频率，以及该信号的调制带宽。GaN在更高效率运行时损耗也更低。GaN垂直器件也可以具有比SiC更好的导电性，但目前实现这一点并非容易之事，因为在合理成本下缺乏均匀的GaN衬底。

作者 Landa Culbertson, Mouser Electronics

上篇介绍了宽带隙半导体的基础知识，这里介绍宽带隙半导体材料中的成熟产品碳化硅（SiC）的发展

<strong>WBG在高功率高温电子中的应用</strong>

作者 Landa Culbertson, Mouser Electronics

50多年前硅（Si）集成电路的发明意义重大，为我们当前所享受的现代计算机和电子产品时代铺平了道路。但是正如俗话所说，天下没有不散的筵席，现在存在疑问的是，硅在半导体行业的霸主地位将何时终结？据摩尔定律预测，一个芯片上集成的晶体管数量大约每两年翻一番。对于传统的硅计算来说，摩尔定律不可能无限期持续，主要因为封装如此大量晶体管而导致的散热问题，以及工艺持续缩放而带来泄漏问题。同样，在功率电子领域，为满足市场需求，使用硅的新器件年复一年地实现更大的功率密度和能效，已经越来越成为一个巨大的挑战。从本质上讲，芯片的演进已经接近其基础物理极限。

NB-IoT(窄带蜂窝物联网)标准获得国际组织3GPP通过。业内人士认为，2016年毫无疑问将作为 NB-IoT商用元年载入通信史册。如同过去十几年移动互联网渴望4G时代的到来一样，现今的物联网也无比渴望着一个强有力的蜂窝物联网基础网络，而 NB-IoT无疑是这个基础网络最佳的选择。

再加上中国政府多次证实将在2020年实现5G商用，如今面向5G的各类技术已经迅速升温，不少技术方案已经逐渐落地。在今年4月伦敦 M2M 大会上，华为展示了 NB-IoT(窄带蜂窝物联网)战略以及 IoT 应用和智慧城市领域的创新成果，并介绍了与合作伙伴为共建 NB-IoT 生态系统所开展的工作，包括与沃达丰在英国纽伯里共同成立沃达丰 NB-IoT 开放实验室，旨在充分发挥 NB-IoT 的潜力，创造社会与经济效益。NB-IoT(窄带蜂窝物联网)无疑是5G时代物联网中的一大热门。

这是来自于‘jlforrest’的一位读者的提问，我认为值得更详细的解答。以下是他的问题：

● 我理解缓存，但不明白为什么需要多层缓存而不是直接用一层大的。换句话说，如果一级缓存是32K，二级256K，三级2M，为什么不用32K+256k+2M的一级缓存？

简短的回答是不同的缓存级别适用于不同的目的和限制，在设计上完全不同。经验上，随着缓存级别的增加，缓存变得更大，更慢，密度更高，每单位存储消耗的电能更少，能处理更多的任务。

为了把这个问题讲得更直观，我打算用一个有点奇怪但很精巧的类比：

<strong>缓存的故事</strong>

假设你是一位六十年代的白领，在巨大的办公楼里工作，没有电脑，你需要阅读大量的文件并且交叉检索这些文档。

<br>本应用项目为爱迪生开发板，英特尔在线开发云平台的连载系列。通过此实验，开发者可以学习到以下内容：</br>

● 熟悉英特尔爱迪生开发板，爱迪生开发板是一款原型开发板，适用于物联网及可穿戴产品。

● 英特尔爱迪生开发板IO接口，英特尔物联网开发套件库函数MRAA与UPM库的使用。

● 熟悉英特尔XDK物联网开发云平台，通过该云平台内建集成传感器驱动，开发者可以通过英特尔爱迪生开发板或者伽利略开发板快速开发程序并部署。

● 从微软Azure云平台建立Azure Redis Cache，上传并存储给水系统数据与日志。该云平台包含数据分析，机器学习，还有丰富的实用工具，为我们简化设计，便于物联网传感器接入云平台，项目敏捷开发与快速实现。