碳化硅赋能浪潮教程：利用SiC CJFET替代超结MOSFET碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 
从PD快充到USB 10Gbps信号枢纽，英集芯发布IP3652近日，英集芯科技（股票代码：688209）正式发布IP3652高速交叉开关芯片。IP3652是一款6:4差分10Gbps双向高速交叉开关，支持将USB Type-C接口在USB 3.2 Gen2与DisplayPort 2.1 UHBR10信号之间进行灵活路由。 
ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。 
村田开始通过新思科技电磁场及热分析工具提供仿真模型株式会社村田制作所（以下简称“村田”）已开始通过新思科技（Synopsys, Inc., 总部：美国加利福尼亚州，以下简称“新思科技”）提供的仿真工具，提供仿真模型。
【原创】深度观察：AMD用一笔收购，正在改写AI算力规则，GPU危险了？近日，AMD 宣布收购专注于 AI 内存优化技术的公司 MEXT，试图通过预测式内存技术降低数据中心整体拥有成本（TCO），并在新一轮内存技术竞赛中取得先机。 
Diodes 公司智能负载开关提供低 RDS（ON），适用于汽车 ADAS、信息娱乐系统及仪表显示电源轨控制Diodes 公司（Diodes）（NASDAQ：DIOD）推出 DML1012ALDSQ，扩展其创新型负载开关产品组合。 
大疆发布全新双主摄口袋电影机Osmo Pocket 4P：灵眸成双，远见非凡（2026 年 6 月 15 日，深圳）大疆今日正式发布全新双主摄口袋电影机 Osmo Pocket 4P，它将大疆多年沉淀的专业影像能力进一步带入轻巧机身，重新定义便携影像的边界。 
英飞凌扩展750V CoolSiC™产品组合，推出顶部散热型H-DPAK半桥器件，进一步提升系统功率密度与可靠性汽车和工业应用中的功率转换架构正在快速演进，对开关拓扑、热管理和系统集成提出了新的要求。为满足这些要求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出顶部散热封装系列新产品H-DPAK，搭载采用750V CoolSiC™ G2技术的集成半桥（HB）器件。 
圣邦微电子推出集成电流检测、1/256微步进及高级衰减模式的45V、1.5A步进电机驱动器SGM42685圣邦微电子推出SGM42685，一款集成电流检测、1/256微步进及高级衰减模式的45V、1.5A步进电机驱动器。 
龙杰（ACS）智能卡读写器入选日本HPKI支持设备清单龙杰智能卡有限公司（ACS）作为身份识别与支付技术的全球领导者，宣布旗下ACR40U和ACR1552U智能卡读写器已顺利通过兼容性测试，正式被日本医师会电子认证中心（JMACA）列入HPKI支持设备清单。 
全球首测落地｜DEKRA德凯完成大规模火烧测试 华为SmartLi 5.0顺利通过近日，独立第三方权威检测认证机构DEKRA德凯依据ANSI/CAN/UL9540A:2026标准完成了全球首例数据中心锂离子电池大规模火烧测试。华为SmartLi 5.0顺利通过测试，彰显其在超越标准的严苛条件下，具备可靠的储能防火安全防护能力。 
