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兼具诊断能力和高能效特性，安森美10BASE-T1S芯片深度解析随着软件定义汽车加速落地，高效、精简、适配车载场景的通信技术成为行业核心诉求。10BASE-T1S作为专为车载与工业场景打造的以太网技术，为破解车载网络瓶颈统一提供了关键方案。
为什么具身智能开始重新定义测试验证从“能动”到“能落地”：机器人进入真实世界后的工程挑战
利用电流基准开关稳压器设计来优化LDO裕量控制——第一部分：噪声源、影响及策略本文探讨了开关稳压器的各种噪声源及其对不同模拟信号链器件的影响。文章重点介绍了几种噪声抑制策略，包括使用低压差(LDO)稳压器作为有效的后置调节滤波器。
嵌入式系统开发工程师如何用平台化工具做时间的朋友在汽车电子、工业控制、医疗设备等安全关键领域，嵌入式产品的生命周期不仅仅是从开发到上市这一短周期，而是要5年、10年甚至更久的长期维护、更新与迭代。
高带宽闪存：面向AI数据中心与边缘计算的全新存储技术人工智能（AI）正势不可挡地席卷整个计算领域。尽管目前全球仅约七分之一的数据中心具备承载AI工作负载的能力，但到2030年，这一比例预计将接近70%。
如何利用无变压器的高压降压控制器实现电压转换在低电压情形中，通常使用无变压器的开关模式电源。但在某些应用中，也可改为使用高压降压控制器等新型器件。高压降压控制器能够实现简洁的设计，从而避免了使用变压器所带来的成本和难度。而且，高压降压控制器具备高功率转换效率，支持高输出电压，并可用于从正电源生成高负电压。
新左移：以FPGA原型验证为“决策透镜”，加速RISC-V IP精准选型在 EDA 领域，“左移”（Shift-Left）早已不是什么新鲜词。它的核心思想是将验证和调试的重心从物理实现的后端，向架构和设计的前端迁移。通过早期虚拟化与软硬件协同，来解决芯片规模增长带来的验证危机，是应对摩尔定律挑战的关键工程实践。
10BASE-T1S：破解车载网络瓶颈，重构软件定义汽车通信底座随着软件定义汽车加速落地，高效、精简、适配车载场景的通信技术成为行业核心诉求。10BASE-T1S作为专为车载与工业场景打造的以太网技术，为破解车载网络瓶颈统一提供了关键方案。
注重时序统一而非只求极速：制胜型游戏系统需要节奏把控，而非仅靠低延迟在高性能游戏系统的工程设计中，延迟往往被视作一个需要尽可能降低的数值。宣传资料都在推崇更低的毫秒数，基准测试都疯狂对比输入延迟与音频延迟；固件研发团队致力于优化更快的循环周期与更高的轮询频率。然而，这种虽便捷的量化视角，却忽略了一个核心本质。
从“人工找波形”到“自动识别异常”：视觉触发如何改变复杂系统调试方式随着嵌入式系统、高速串行总线以及复杂混合信号系统持续演进，工程师在调试阶段面对的信号复杂度正在快速提升。
如何在设计21位精密电压源时实现超高精度本文介绍了一种用于实现超高精度电压源的电路。这种电路将两个20位DAC并联，构建出一个具有±1 LSB精度（或0.5 ppm）的21位DAC。此外，完整的解决方案还需要配备与DAC性能相匹配的精密运算放大器和基准电压源。
超高IOPS SSD是如何炼成的？AI已经进入了以生成式AI、智能体AI的发展阶段。依靠大语言模型，用户可以通过AI完成智能决策和信息流程处理自动化。
碳化硅赋能浪潮教程：SiC JFET驱动工业与服务器电源革新碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。本文为第一部分，将重点介绍碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源。
干货 | 使用线性稳压器作为滤波器在对电源电压进行滤波时，有几种不同的电路可供选择。本文将阐释使用LC滤波器和线性稳压器进行滤波之间的主要区别。
恩智浦CoreRide Z248区域控制参考系统：开箱即用，加速迈向48V区域控制汽车电子电气(E/E)架构正快速演进，电气化与软件定义汽车(SDV)的发展重塑了汽车设计。整车厂不再简单地增加电子控制单元(ECU)，而是转向区域架构，以降低系统复杂度、提升可扩展性并加快软件部署速度。
重新构想AI电源：塑造AI加速的未来（第三部分）现在来探讨下一波浪潮——垂直供电。这背后离不开ADI公司不懈的创新。
一颗10W小模块，为什么能撑起Physical AI的未来？过去几年，AI 行业最热闹的战场，一直在云端。更大的模型、更高的参数量、更强的 GPU 集群，几乎定义了整个 AI 产业的话语权。
驯服AI电源风暴（第二部分）揭开面纱，一探究竟：ADI公司如何引领行业发展，打造既能满足AI需求，又在效率、功率密度与可靠性方面突破传统边界的电源解决方案。
STM32C5重新定义入门级微控制器的性能意法半导体新入门级微控制器STM32C5 于 2026 年 3 月正式推出，搭载 Arm® Cortex®-M33处理器内核，采用 40 纳米制造工艺，配备双区闪存，存储容量 128KB 至 1MB，可耐受1万次擦写，基础扇区容量 8KB；专用闪存区的扇区可降至2KB，使存储分区管理更精细化。
每一次AI突破都绕不开的电源问题：第一部分在本系列的三篇文章中，我们将深入剖析AI加速器供电网络的全新世界，探讨管理超快速瞬变的巨大挑战，并介绍有助于让当今超高速AI可靠运行的革命性解决方案（例如ADI公司的多相电源专业技术）。