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新品

思特威推出全新升级8K&16K高分辨率工业线阵CMOS图像传感器
思特威(上海)电子科技股份有限公司(股票简称:思特威,股票代码:688213)近日宣布,全新推出8K和16K超高分辨率高速线阵CMOS图像传感器——SC835LA&SC1635LA。


HyperLight在其TFLN Chiplet™平台推出每通道400G的PIC,助力下一代人工智能互连

TFLN Chiplet™ 平台的开发者HyperLight Corporation(以下简称“HyperLight”)今日宣布,专为下一代人工智能网络基础设施设计的每通道400G薄膜铌酸锂(TFLN)光子集成电路(PIC)现已上市。

E-fuse | 力芯微推出4.5V~18V,0.75A~5A限流电源开关 ET20170

力芯微电子推出ET20170,一款集成电流限制和反向阻断功能的N沟道MOSFET电源开关,专为输入/输出电路保护设计。

Supermicro率先发布NVIDIA BlueField-4 STX存储服务器,提升AI推理性能
  • Supermicro凭借其基于NVIDIA STX AI存储参考架构打造的上下文内存(CMX)存储服务器,进一步彰显其行业领先地位。


NVIDIA 推出 Vera CPU,专为代理式 AI 打造

NVIDIA Vera CPU 为大规模数据处理、AI 训练和智能体式推理提供最高性能与能效


NVIDIA 宣布为 OpenClaw 社区推出 NemoClaw

NemoClaw 可通过单个命令进行安装,为全天候 AI 助手运行增加安全性和隐私保护,既可从云端部署,也可在本地 NVIDIA RTX PCDGX Station DGX Spark 运行


NVIDIA 发布 Vera Rubin DSX AI Factory 参考设计和 Omniverse DSX 数字孪生 Blueprint,获得广泛行业支持

全新 NVIDIA Vera Rubin DSX AI Factory 参考设计为构建共同设计的 AI 基础设施提供了指南,旨在实现更高的每瓦 Token 数,并加速首次投产的时间。


NVIDIA 推出 BlueField-4 STX 存储架构,获业界广泛采用

全新 NVIDIA STX 参考架构可提升高达 5 倍的 Token 吞吐量,能效提升高达 4 倍,数据摄取速度提升 2 倍。


Cadence 推出专为新一代语音 AI 与音频应用打造的 Tensilica HiFi iQ DSP
第六代 HiFi DSP 为基于语音的 AI 应用和最新沉浸式音频格式带来更出色的性能与能效表现


2026首发新品!MATX-6557搭载飞腾D3000 八核处理器,为国产化替代注入强劲动能

面对严峻的国际形势,打造自主可控的产业链供应链,重点产业链发展国产化替代是大势所趋。华北工控顺应发展大势,正在提速产品国产化进程,新发布搭载飞腾D3000处理器的嵌入式主板MATX-6557实现了高国产化率和高性能设计

意法半导体发布75V STSPIN电机驱动芯片,方便用户扩展工业电机驱动器设计

新系列半桥和全桥驱动芯片提高48V电机驱动设计灵活性

GRAS 45BD AutoKEMAR 重磅发布

汽车座舱测试专用人工头


Kioxia宣布推出针对AI GPU发起式工作负载进行优化的全新固态硬盘型号

KIOXIA超高IOPS固态硬盘为NVIDIA Storage-Next™架构提供高性能、低延迟内存扩展方案


东芝推出用于车载设备的光伏输出光耦
采用具有长爬电距离和高隔离电压的薄型封装


Vishay推出全新紧凑型高性能、高可靠性功率电感器

节省空间型器件工作温度达+165 °C,电感值高达4.70 mHDCR低至6.6 mW,从而提升效率


Sandisk闪迪于北京举办春季新品发布会,推出多款消费级存储解决方案

赋能从专业人士、内容创作者、游戏玩家到体育爱好者各领域用户的创新存储体验


当 "Swoosh" 遇上 "b":Beats 与 Nike 携手推出史上首款 Powerbeats Pro 2 联名产品

LeBron James 从球场转战果岭,领衔群星大片,致敬终极性能跨界

国内首款Agentic AI自研EDA平台,合见工软发布智能体UDA 2.0重塑芯片设计范式

中国数字EDA/IP龙头企业上海合见工业软件集团股份有限公司(简称“合见工软”)正式发布第二代数字设计AI智能平台——智能体UniVista Design Agent (UDA) 2.0。

NetApp推出全新高性能EF系列型号

全新系统为人工智能、高性能计算及数据库等最严格工作负载提供成熟经济的高性能支持


专为AI服务器电源优化 | 25V/80V MOSFET双面散热源极朝下封装

新款 MOSFET 专为满足高功率密度及增强型散热应用而设计,采用 DFN 3.3x3.3 双面散热、源极朝下(Source-down)封装,并集成了创新的栅极中置布局技术,能够有效简化 PCB 走线设计,提升系统布板灵活性与电气性能。